Semiconductor device including a dielectric layer
Provided is a semiconductor element including a dielectric layer and capable of improving cell scattering characteristics. The semiconductor element comprises: a laminated structure; and a vertical structure in the laminated structure. The vertical structure has a lower area with a first width and a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | Provided is a semiconductor element including a dielectric layer and capable of improving cell scattering characteristics. The semiconductor element comprises: a laminated structure; and a vertical structure in the laminated structure. The vertical structure has a lower area with a first width and an upper area with a second width larger than the first width. The vertical structure includes two dielectric layers having different ratios of the lower thickness in the lower area to the upper thickness in the upper area.
유전체 층을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 적층 구조체 및 상기 적층 구조체 내의 수직 구조체를 포함한다. 상기 수직 구조체는 제1 폭의 하부 영역 및 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭의 상부 영역을 갖는다. 상기 수직 구조체는 상기 상부 영역에서의 상부 두께에 대한 상기 하부 영역에서의 하부 두께의 비(ratio)가 서로 다른 두 개의 유전체 층들을 포함한다. |
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