Vertical type non-volatile memory device and method for fabricating the same

The present invention provides a vertical non-volatile memory device with improved high integration and reliability while reducing process difficulty by changing a substrate contact structure of a vertical memory device, and a manufacturing method thereof. The vertical non-volatile memory device has a structure in which a vertical channel layer forming memory cells is electrically connected to a substrate through a lower wiring pattern formed on the substrate, thereby omitting a selective epitaxial growth (SEG) process for connecting a vertical channel layer performed in a conventional VNAND to a substrate and a process of etching a gate dielectric layer on the bottom of a channel hole. Therefore, it is possible to realize a vertical non-volatile memory device of which manufacturing cost is reduced due to lowered process difficulty and high integration and reliability are improved. 본 발명의 기술적 사상은 수직형 메모리 소자의 기판 콘택 구조를 변경하여 공정 난이도가 하향 되면서도 고집적화 및 신뢰성이 향상된 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 수직형 비휘발성 메모리 소자는 메모리 셀들을 구성하는 수직 채널층이 기판 상에 형성된 하부 배선 패턴을 통해 기판과 전기적으로 연결되는 구조를 가짐으로써, 기존의 VNAND에서 수행되는 수직 채널층을 기판에 연결하기 위한 SEG(Selective Epitaxial Growth) 공정, 및 채널 홀 바닥면의 게이트 유전체층을 식각하는 공정이 생략될 수 있다. 따라서, 공정 난이도 하향에 따른 제조 비용이 감소하고 고집적화 및 신뢰성이 향상된 수직형 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있도록 한다.