Semiconductor devices and method of forming the same

Semiconductor devices are provided. A semiconductor device includes a semiconductor substrate and source/drain regions in the semiconductor substrate. In addition, the semiconductor device includes a gate structure located in a recess in the semiconductor substrate. The gate structure includes a liner including a first part and a second part located on the first part. The second part is closer to the source/drain region than the first part. The second part includes metal alloy. Methods of forming the semiconductor devices are also provided. It is possible to reduce the leakage current of a transistor. 반도체 장치들이 제공된다. 반도체 장치는 반도체 기판 및 상기 반도체 기판 내의 소스/드레인 영역을 포함한다. 또한, 상기 반도체 장치는 상기 반도체 기판 내의 리세스(recess) 내에 위치하는 게이트 구조물을 포함한다. 상기 게이트 구조물은 제1 부분, 및 상기 제1 부분 상에 위치하는 제2 부분을 포함하는 라이너(liner)를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 상기 소스/드레인 영역에 더 가깝다. 상기 제2 부분은 금속 합금을 포함한다. 반도체 장치의 형성 방법들이 또한 제공된다.