재료가 고갈되고 다시 채워지는 용융된 재료의 포함된 볼륨을 유지하기 위한 방법

녹은 반도체의 주된 도가니는 공급 도가니 내에 고체 반도체와 액체 반도체의 2가지 상이 항상 존재하도록 유지된 공급 도가니로부터 다시 채워진다. 고체 재료를 녹이기 위해 추가된 열은 고체 재료의 상을 액체로 변경시키지만, 공급 도가니 내의 액체의 온도의 어떠한 상당한 상승도 초래하지 않는다. 온도 편위들은 형성된 생성물을 가지고 문제를 야기하게 되는 것보다 유리하게 작다. 고체 생성물 재료는 공급 액체 온도를 상 전이 온도로 또는 상 전이 온도에 매우 가깝게 자동으로 및 수동으로 유지하기 위해 일종의 온도 버퍼로서 작용한다. 실리콘의 경우, 편위는 90℃ 미만으로 그리고 심지어 50℃보다 작게 유지된다. 게르마늄을 사용한 방법들 또한 유용하다. 반도체를 완전히 녹이는 종래 기술의 실리콘 방법은 100℃를 초과하는 편위를 경험한다. A main crucible of molten semiconductor is replenished from a supply crucible maintained such that there are always two phases of solid and liquid semiconductor within the supply crucible. Heat added to melt the solid material results in the solid material changing phase to liquid, but will not result in any significant elevation in temperature of the liquid within the supply crucible. The temperature excursions are advantageously small, being less than that which would cause problems with the formed product. The solid product material acts as a sort of temperature buffer, to maintain the supply liquid temperature automatically and passively at or very near to the phase transition temperature. For silicon, excursions are kept to less than 90° C., and even as small as 50° C. The methods also are useful with germanium. Prior art silicon methods that entirely melt the semiconductor experience excursions exceeding 100° C.