APPARATUS FOR ENABLING CONCENTRICITY OF PLASMA DARK SPACE

일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 장치는, 챔버 본체; 챔버 본체 정상부에 배치된 덮개; 덮개에 커플링되고, 기판 상에 증착될 물질로 구성된 타겟을 포함하는 타겟 조립체; 타겟의 외측 에지 주변에 배치된 내측 벽을 갖는 환형 암공간 쉴드; 암공간 쉴드의 외측 에지에 인접하여 배치된 밀봉 링; 및 지지 부재를 포함할 수 있고, 지지 부재는 지지 부재의 외측 단부 부근에서 덮개에 커플링되고, 밀봉 링과 환형 암공간 쉴드를 지지하도록 방사상 내측으로 연장되며, 지지 부재와 밀봉 링 그리고 밀봉 링과 타겟 조립체 사이에 시일이 형성되도록, 덮개에 커플링될 때 충분한 압축을 제공한다. In some embodiments, substrate processing apparatus may include a chamber body; a lid disposed atop the chamber body; a target assembly coupled to the lid, the target assembly including a target of material to be deposited on a substrate; an annular dark space shield having an inner wall disposed about an outer edge of the target; a seal ring disposed adjacent to an outer edge of the dark space shield; and a support member coupled to the lid proximate an outer end of the support member and extending radially inward such that the support member supports the seal ring and the annular dark space shield, wherein the support member provides sufficient compression when coupled to the lid such that a seal is formed between the support member and the seal ring and the seal ring and the target assembly.