Composition for forming organic anti-reflective coating layer suitable for negative tone development

Disclosed is a composition for forming an organic anti-reflective film used in a negative tone development, which has a high refractive index and etch rate, enhances adhesion to a photoresist, and has improved pattern profiles including an undercut. The composition of the present invention comprises: an isocyanurate compound having one or more parts represented by chemical formula 2; a polymer represented by chemical formula 3; and an organic solvent which dissolves the above components. 고굴절률 및 고식각비를 가지면서, 포토레지스트와의 접착력이 강화될 뿐만 아니라, 언더 컷 등의 패턴 프로파일이 개선된 네거티브 톤 현상 공정에 이용되는 유기 반사방지막 형성용 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 부분을 하나 이상 포함하는 이소시아누레이트 화합물; 하기 화학식 3으로 표시되는 고분자; 및 상기 성분들을 용해시키는 유기 용매를 포함한다. [화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R'는 각각 독립적으로 0 내지 6개의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, R"는 각각 독립적으로 0 내지 8개의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, 상기 화학식 2로 표시되는 부분은 R'를 통하여 2개 이상 연결될 수 있으며, 상기 화학식 3에서, R은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기(-CH)이고, R는 히드록시기(-OH) 또는 0 내지 2 개의 히드록시기를 포함하는 탄소수 1 내지 5의 알콕시기이며, R은 0 내지 2 개의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 3 내지 15의 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, R는 0 내지 3 개의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 5 내지 15의 아릴기이며, x, y 및 z는 상기 고분자를 구성하는 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 20 내지 80 몰%, y는 1 내지 30 몰% 및 z는 10 내지 50 몰%이다.