촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기
본 기술은 유기 광전변환 막을 갖는 이면 조사형의 촬상 소자에서 혼색을 방지함과 함께, 다이내믹 레인지를 확보할 수 있도록 하는 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다. 본 기술의 한 측면인 촬상 소자는 반도체 기판의 일방의 면측에 마련된 광전변환 막과 화소 사이 영역에 형성된 화소 분리부와 광전변환 막에서의 광전변환에 의해 얻어진 전하에 응한 신호를 반도체 기판의 타방의 면측에 형성된 배선층에 전송하는 화소 사이 영역에 형성된 관통 전극을 갖는다. 본 기술은 이면 조사형의 CMOS 이미지 센서에 적용할 수 있다....
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 본 기술은 유기 광전변환 막을 갖는 이면 조사형의 촬상 소자에서 혼색을 방지함과 함께, 다이내믹 레인지를 확보할 수 있도록 하는 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다. 본 기술의 한 측면인 촬상 소자는 반도체 기판의 일방의 면측에 마련된 광전변환 막과 화소 사이 영역에 형성된 화소 분리부와 광전변환 막에서의 광전변환에 의해 얻어진 전하에 응한 신호를 반도체 기판의 타방의 면측에 형성된 배선층에 전송하는 화소 사이 영역에 형성된 관통 전극을 갖는다. 본 기술은 이면 조사형의 CMOS 이미지 센서에 적용할 수 있다.
The present technology relates to a back surface irradiation type imaging element having an organic photoelectric conversion film capable of preventing color mixing and securing dynamic range, a method of manufacturing the same, and an electronic apparatus. An imaging element according to an aspect of the present technology includes a photoelectric conversion film provided on one side of a semiconductor substrate, a pixel separation section formed in an inter-pixel region, and a through electrode that transmits a signal, corresponding to an electric charge obtained by photoelectric conversion in the photoelectric conversion film, to a wiring layer formed on the other side of the semiconductor substrate, the through electrode being formed in the inter-pixel region. The present technology is applicable to a back surface irradiation type CMOS image sensor. |
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