METHOD OF PROCESSING A WAFER

반도체 디바이스들을 제조하는데 사용되는 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다. 본 방법은 웨이퍼 상에 고종횡비 피쳐들을 형성하는 단계, 다음으로 습식 처리하는 단계 및 건조하는 단계를 포함한다. 건조하는 단계 동안, 패턴 붕괴가 일어날 수 있다. 이 패턴 붕괴는 웨이퍼의 추가 처리를 허용하기 위해 리페어될 수 있다. 일부의 경우에서, 패턴 붕괴는 식각을 통해 리페어될 수 있고, 여기서 식각은 패턴 붕괴 동안 형성될 수 있는 결합들을 끊는다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SYOMIN DENIS, GALE GLENN W, FU QIAN, WILCOXSON MARK H, MIKHAYLICHENKO KATRINA, LIU SHENJIAN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	반도체 디바이스들을 제조하는데 사용되는 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다. 본 방법은 웨이퍼 상에 고종횡비 피쳐들을 형성하는 단계, 다음으로 습식 처리하는 단계 및 건조하는 단계를 포함한다. 건조하는 단계 동안, 패턴 붕괴가 일어날 수 있다. 이 패턴 붕괴는 웨이퍼의 추가 처리를 허용하기 위해 리페어될 수 있다. 일부의 경우에서, 패턴 붕괴는 식각을 통해 리페어될 수 있고, 여기서 식각은 패턴 붕괴 동안 형성될 수 있는 결합들을 끊는다.