PHOTO TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 발명의 일 실시예에 따른 광 트랜지스터는 제1 도전형의 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 에피층, 상기 제1 에피층 상에 위치하는 제2 도전형의 베이스층, 상기 베이스층의 가장자리를 둘러싸고 위치하는 제1 도전형의 둘레층, 상기 베이스층의 일부에 위치하는 제1 도전형의 이미터층, 상기 베이스층과 접촉하는 베이스 전극, 상기 이미터층과 접촉하는 이미터 전극을 포함한다....

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	GOH, SUNG MIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 일 실시예에 따른 광 트랜지스터는 제1 도전형의 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 에피층, 상기 제1 에피층 상에 위치하는 제2 도전형의 베이스층, 상기 베이스층의 가장자리를 둘러싸고 위치하는 제1 도전형의 둘레층, 상기 베이스층의 일부에 위치하는 제1 도전형의 이미터층, 상기 베이스층과 접촉하는 베이스 전극, 상기 이미터층과 접촉하는 이미터 전극을 포함한다.