SUBSTRATE STRUCTURE SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD

According to an embodiment of the present invention, a substrate structure comprises: a support substrate; a buffer structure arranged on the support substrate, and including an intentionally doped super lattice laminate; a first Group III nitride layer arranged on the buffer structure, and unintentionally doped; a second Group III nitride layer arranged on the first Group III nitride layer, and forming a heterojunction therebetween; and a blocking layer arranged between the heterojunction and the buffer structure. The blocking layer is configured to block charges from entering the buffer structure. 실시예에서, 기판 구조체는 지지 기판, 지지 기판 상에 배치되고, 의도적으로 도핑된 초격자 라미네이트를 포함하는 버퍼 구조체, 버퍼 구조체 상에 배치된 비의도적으로 도핑된 제1 III족 질화물층, 제1 III족 질화물층 상에 배치되고 제1 III족 질화물층과의 사이에 헤테로 접합을 형성하는 제2 III족 질화물층, 및 헤테로 접합과 버퍼 구조체 사이에 배치된 차단층을 포함한다. 차단층은 전하가 버퍼 구조체로 들어가는 것을 차단하도록 구성된다.