패턴화 특징부를 프로세싱하기 위한 다중 노출 처리

기판을 프로세싱하기 위한 방법은 기판 상에 패턴화 특징부를 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 패턴화 특징부는 측벽을 갖는다. 방법은, 제 1 노출 동안 제 1 이온 종을 패턴화 특징부 내로 주입하는 단계로서, 제 1 이온 종은 제 1 주입 깊이를 갖는, 단계; 및 제 2 노출 동안 제 2 이온 종을 패턴화 특징부 내로 주입하는 단계로서, 제 2 이온 종은 제 1 주입 깊이보다 더 작은 제 2 주입 깊이를 갖는, 단계를 더 포함할 수 있다. A method for processing a substrate may include pro...

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Hauptverfasser:	GODET LUDOVIC, HAUTALA JOHN, MA TRISTAN Y, PETTERSON MAUREEN K
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	기판을 프로세싱하기 위한 방법은 기판 상에 패턴화 특징부를 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 패턴화 특징부는 측벽을 갖는다. 방법은, 제 1 노출 동안 제 1 이온 종을 패턴화 특징부 내로 주입하는 단계로서, 제 1 이온 종은 제 1 주입 깊이를 갖는, 단계; 및 제 2 노출 동안 제 2 이온 종을 패턴화 특징부 내로 주입하는 단계로서, 제 2 이온 종은 제 1 주입 깊이보다 더 작은 제 2 주입 깊이를 갖는, 단계를 더 포함할 수 있다. A method for processing a substrate may include providing a patterning feature on the substrate, the patterning feature having a sidewall. The method may further include implanting a first ion species into the patterning feature during a first exposure, the first ion species having a first implantation depth; and implanting a second ion species into the patterning feature during a second exposure, the second ion species having a second implantation depth less than the first implantation depth.