WAFER PROCESSING METHOD

The objective of the present invention is to provide a wafer processing method that forms a shield tunnel efficiently and effectively without sacrificing processing efficiency in a post-process stage even if there is a shielding material that blocks laser beams on the surface of a wafer. The wafer processing method comprises: a frame supporting process of placing a wafer in a wafer-accommodating opening of a frame, bonding the back surface of the wafer and the frame integrally with an adhesive tape, and supporting the wafer with the frame; and a shield tunnel forming process of maintaining the surface side of the wafer by using a chuck table, irradiating laser beams of a wavelength having penetrability with respect to the wafer and the adhesive tape onto the back surface of the wafer corresponding to a predicted division line through the adhesive tape, and forming a shield tunnel along the predicted division line, wherein the shield tunnel includes a fine hole and an amorphous part for wrapping the fine hole. (과제) 본 발명의 과제는, 웨이퍼의 표면측에 레이저 광선을 차단하는 차폐물이 있어도, 후공정에서의 가공 효율을 희생으로 하지 않고, 효율적으로 효과적으로 실드 터널을 형성하는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다. (해결 수단) 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 그 개구부에 그 웨이퍼를 위치 부여하고, 그 웨이퍼의 이면과 그 프레임을 점착 테이프로 일체로 첩착하여 그 웨이퍼를 그 프레임으로 지지하는 프레임 지지 공정과, 그 웨이퍼의 표면측을 척 테이블로 유지하고, 그 웨이퍼 및 그 점착 테이프에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을, 그 점착 테이프를 통해 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 이면에 조사하고, 그 분할 예정 라인을 따라 세공과 그 세공을 감싸는 비정질로 이루어지는 실드 터널을 형성하는 실드 터널 형성 공정을 포함한다.