ELECTRONIC DEVICE

The present invention relates to an electronic apparatus securing the efficiency of a high-speed page operation by enlarging a range of pages. A semiconductor memory according to the present invention comprises: a plurality of word lines; and a plurality of columns including a plurality of resistive storage cells each corresponding to the plurality of word lines, wherein the plurality of columns comprising a plurality of pages each comprising at least one column. Therefore, the semiconductor memory can sense data of the resistive storage cells included in a selected page while continuously and actively precharging at least one word line among the plurality of word lines in a section in which the selected page is activated among the plurality of pages during a read operation. 반도체 메모리는 다수의 워드라인; 및 상기 다수의 워드라인에 각각 대응하는 다수의 저항성 저장 셀을 포함하는 다수의 컬럼 - 상기 다수의 컬럼은 각각 하나 이상의 컬럼을 포함하는 다수의 페이지로 나뉨 - 을 포함하고, 리드 동작시 상기 다수의 페이지 중 선택된 페이지가 활성화된 구간에서 상기 다수의 워드라인 중 하나 이상의 워드라인을 연속으로 액티브-프리차지시키면서 상기 선택된 페이지에 포함된 저항성 저장 셀들의 데이터를 센싱할 수 있다.