PREDICTING AND CONTROLLING CRITICAL DIMENSION ISSUES AND PATTERN DEFECTIVITY IN WAFERS USING INTERFEROMETRY

패터닝된 웨이퍼 기하형태(PWG) 측정을 이용하여, 패터닝된 웨이퍼 내의 패턴 품질 데이터(예를 들어, 임계 치수 및/또는 패턴 결함)를 예측하고 제어하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. PWG 측정과 패턴 품질 데이터 측정 사이의 상관 관계가 구축될 수 있고, 구축된 상관 관계는 주어진 웨이퍼에 대해서 얻어진 기하형태 측정을 기초로 주어진 웨이퍼에 대한 패턴 품질 데이터 예측을 제공하기 위해서 이용될 수 있다. 생성되는 예측은 리소그래피 도구에 제공될 수 있고, 리소그래피 도구는 리소그래피 프로세스 중에 발생될 수 있는 포커스 오류 및/또는 기울기 오류를 교정하기 위해서 그러한 예측을 이용할 수 있다. Systems and methods for predicting and controlling pattern quality data (e.g., critical dimension and/or pattern defectivity) in patterned wafers using patterned wafer geometry (PWG) measurements are disclosed. Correlations between PWG measurements and pattern quality data measurements may be established, and the established correlations may be utilized to provide pattern quality data predictions for a given wafer based on geometry measurements obtained for the give wafer. The predictions produced may be provided to a lithography tool, which may utilize the predictions to correct focus and/or title errors that may occur during the lithography process.