APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT

APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT

실시예는 도가니의 표면에서 제1 방향으로, 실리콘 용융액으로부터 성장 중인 단결정 잉곳의 크기를 감지하는 (a) 단계; 및 상기 제1 방향과 반대의 제2 방향으로, 상기 단결정 잉곳의 크기를 감지하는 (b) 단계를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BANG, IN SIK, KANG, IN GU, KIM, SE HUN, KIM, YUN GOO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	실시예는 도가니의 표면에서 제1 방향으로, 실리콘 용융액으로부터 성장 중인 단결정 잉곳의 크기를 감지하는 (a) 단계; 및 상기 제1 방향과 반대의 제2 방향으로, 상기 단결정 잉곳의 크기를 감지하는 (b) 단계를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다.