METAL MATERIAL FOR USE IN ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

저삽입 발출성, 저위스커성 및 고내구성을 갖는 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법을 제공한다. 기재 (11) 와, 기재 (11) 의 최표층을 구성하고, Sn, In, 또는 그들의 합금으로 형성된 A 층 (14) 과, 기재 (11) 와 A 층 (14) 사이에 형성되어 중층을 구성하고, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir, 또는 그들의 합금으로 형성된 B 층 (13) 을 구비하고, 최표층 (A 층) (14) 의 두께가 0.2 ㎛ 보다 두껍고, 중층 (B 층) (13) 의 두께가 0.001 ㎛ 이상인 전자 부품용...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KODAMA ATSUSHI, SHIBUYA YOSHITAKA, FUKAMACHI KAZUHIKO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ALLOYS APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY ELECTROFORMING ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS LAYERED PRODUCTS LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM METALLURGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS TRANSPORTING TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	저삽입 발출성, 저위스커성 및 고내구성을 갖는 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법을 제공한다. 기재 (11) 와, 기재 (11) 의 최표층을 구성하고, Sn, In, 또는 그들의 합금으로 형성된 A 층 (14) 과, 기재 (11) 와 A 층 (14) 사이에 형성되어 중층을 구성하고, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir, 또는 그들의 합금으로 형성된 B 층 (13) 을 구비하고, 최표층 (A 층) (14) 의 두께가 0.2 ㎛ 보다 두껍고, 중층 (B 층) (13) 의 두께가 0.001 ㎛ 이상인 전자 부품용 금속 재료 (10). There are provided an electronic component metal material having low insertability/extractability, low whisker formability and high durability, and a method for manufacturing the electronic component metal material. The electronic component metal material 10 includes a base material 11, an A layer 14 constituting an outermost surface layer on the base material 11 and formed of Sn, In or an alloy thereof, and a B layer 13 constituting a middle layer provided between the base material 11 and the A layer 14 and formed of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir or an alloy thereof, wherein the outermost surface layer (A layer) 14 has a thickness larger than 0.2 µm, and the middle layer (B layer) 13 has a thickness of 0.001 µm or larger.