SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ADJUSTING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

기판의 면내에 있어서나 기판 사이에 있어서나, 균일성이 양호한 가열 처리를 행할 수 있는 기술을 제공하는 것. 각각 기판을 적재대에 적재하여 가열하는 복수의 가열 모듈을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 적재대에 복수 설치되고, 서로 독립해서 발열량이 제어되는 히터와, 상기 복수의 히터 각각에 대응하는 기판의 피가열 부위에 대해, 미리 결정된 제1 시점으로부터 제2 시점에 이르기까지의 사이의 적산 열량이 1대의 적재대 중에서 균일하고, 또한 복수의 가열 모듈의 사이에서 균일하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하도록 장치를 구성한다. 상기 제1 시점은, 히터의 발열량이 안정되어 있는 상태에서 적재대에 기판이 적재된 후의 기판의 온도 추이 프로파일에 있어서, 기판의 프로세스 온도를 향하는 승온 도중의 시점이고, 상기 제2 시점은 상기 온도 추이 프로파일에 있어서 기판이 처리 온도에 도달한 후의 시점이다. A substrate processing apparatus includes plural heating modules each including a table on which a substrate is placed to be heated, the substrate having plural heated zones. The table has plural heaters each assigned to heat respective ones of the heated zones. Heat generation of the heaters is controlled independently. A control unit controls the heaters such that integrated quantities of heat of the respective heated zones given by the corresponding heaters from first to second time point are substantially identical to each other in each of the heating modules, and are substantially identical to each other among the heating modules. The first time point is set when a temperature transition profile of the substrate is rising toward a process temperature after placing the substrate on the table under a condition where heat generation of the heaters is stable. The second time point is set after the temperature transition profile reaches the process temperature.