NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 행 디코더 회로, 페이지 버퍼 회로 및 제어 로직 회로를 포함한다. 메모리 셀 어레이는 복수의 선택 라인들에 연결되는 복수의 셀 스트링들을 포함한다. 행 디코더 회로는 읽기 시에 복수의 선택 라인들을 순차적으로 선택한다. 페이지 버퍼 회로는 각 선택 라인이 선택된 때에 둘 이상의 셀 스트링들의 읽기 결과를 획득하고, 복수의 선택 라인들이 순차적으로 선택될 때에 복수의 셀 스트링들의 읽기 결과들을 누적한다. 제어 로직 회로는 누적된...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	JOO, SANG HYUN, JUNG, KEE HO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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