NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 행 디코더 회로, 페이지 버퍼 회로 및 제어 로직 회로를 포함한다. 메모리 셀 어레이는 복수의 선택 라인들에 연결되는 복수의 셀 스트링들을 포함한다. 행 디코더 회로는 읽기 시에 복수의 선택 라인들을 순차적으로 선택한다. 페이지 버퍼 회로는 각 선택 라인이 선택된 때에 둘 이상의 셀 스트링들의 읽기 결과를 획득하고, 복수의 선택 라인들이 순차적으로 선택될 때에 복수의 셀 스트링들의 읽기 결과들을 누적한다. 제어 로직 회로는 누적된 읽기 결과들에 기반하여 후속 동작을 제어한다. A nonvolatile memory device includes a memory cell array, a row decoder, and page buffer, and control logic. The memory cell array includes cell strings connected to select lines. Each select line is connected to two or more cell strings, each cell string includes memory cells connected to a plurality of word lines, and a select transistor is connected to a corresponding one of the select lines. The row decoder sequentially selects the select lines in a read operation. A page buffer obtains a read result of the two or more cell strings when a corresponding select line is selected and accumulates read results of the cell strings when the select lines are sequentially selected. The control logic controls a subsequent operation based on the accumulated read results.