ETCHING COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING SAME

본 발명은 약 25 내지 86 중량%의 물; 약 0 내지 약 60 중량%의 수혼화성 유기 용매; 약 1 내지 약 30 중량%의 4차 암모늄 화합물을 포함하는 염기; 약 1 내지 약 50 중량%의 2차 아민, 3차 아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아민 화합물; 약 0 내지 약 5 중량%의 완충제; 약 0 내지 약 15 중량%의 부식 억제제를 포함하는, 반도체 기판을 에칭시키기 위해 유용한 조성물 및 이러한 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다. A composition and method using same us...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WU AIPING, PARRIS GENE EVERAD, TSENG EDWARD CHIA KAI, LEE YI CHIA, MEBRAHTU THOMAS, LIU WEN DAR, CHEN TIANNIU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 약 25 내지 86 중량%의 물; 약 0 내지 약 60 중량%의 수혼화성 유기 용매; 약 1 내지 약 30 중량%의 4차 암모늄 화합물을 포함하는 염기; 약 1 내지 약 50 중량%의 2차 아민, 3차 아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아민 화합물; 약 0 내지 약 5 중량%의 완충제; 약 0 내지 약 15 중량%의 부식 억제제를 포함하는, 반도체 기판을 에칭시키기 위해 유용한 조성물 및 이러한 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다. A composition and method using same useful for etching a semiconductor substrate comprising: from about 25 to 86% by weight of water; from about 0 to about 60% by weight of a water-miscible organic solvent; from about 1 to about 30% by weight of a base comprising a quartenary ammonium compound; from about 1 to about 50% by weight of an amine compound wherein the amine compound is selected from the group consisting of a secondary amine, a tertiary amine, and mixtures thereof; from about 0 to about 5% by weight of a buffering agent; from about 0 to about 15% by weight of a corrosion inhibitor.