ION BEAM ETCHING METHOD AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

장치의 대형화를 수반하지 않고, 저입사각 정지 조건에서도 고균일한 IBE 처리를 실현할 수 있는 이온 빔 에칭 방법을 제공한다. 이온 빔 에칭 방법은, 기판에 대한 개구부의 위치를 변경하는 스텝과, 개구부를 통과한 이온 빔으로 기판을 에칭하는 스텝과, 이온 빔이 기판에 입사되는 위치의 중심이 이온원으로부터 멀어짐에 따라서, 경사 각도를 작게 하는 스텝을 갖는다. To provide an ion beam etching method which enables a highly uniform IBE process even under a low-angle-incident static condition, without increase in the size of an apparatus. The ion beam etching method includes: changing a position of an opening portion with respect to a substrate; etching the substrate with an ion beam passing through the opening portion; and reducing a tilt angle as a center of a site where the ion beam is incident on the substrate moves away from the ion source.