HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT APPARATUS

복수의 발광 소자 유닛을 열원으로 사용하여 웨이퍼를 열처리하는 열처리 방법은, 발광 소자 유닛으로부터 제1 조도로 웨이퍼(W)에 광을 조사하고, 웨이퍼(W)의 반사율을 구하고, 웨이퍼(W)의 반사율과, 미리 구해진, 제1 조도에 있어서의 웨이퍼의 승온 커브와 웨이퍼의 반사율의 상관관계에 기초하여, 발광 소자 유닛으로부터의 광의 조도를, 제1 조도로부터 제2 조도로 보정한다. In a heat treatment apparatus using a light source as a heating source, heating can be achieved at the desired temperature regardless of the surface state of the treatment target object. A heat treatment method for subjecting a wafer W to a heat treatment using a plurality of light-emitting element units 30 as the heating source, the method comprising: irradiating light from the light-emitting element units 30 onto the wafer W at a first illuminance U, determining the reflectance R from the wafer W, and based on the reflectance R from the wafer W, and a correlation Q, determined in advance, between the temperature increase curve of the wafer W and the reflectance R from the wafer W at the first illuminance U, adjusting the illuminance of the light from the light-emitting element units 30 from the first illuminance U to a second illuminance Ux.