Method of cleaning a substrate and fabrication method of semiconductor device using the same

The present invention relates to a cleaning method of a substrate, comprising: a step of supplying a substrate including a metal material film; a step of performing physical cleaning for the substrate; a step of performing chemical cleaning for the substrate; and a step of drying the surface of the...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PARK, MI HYUN, KIM, SEOK HOON, OH, JUNG MIN, JEONG, JI HOON, LEE, HYO SAN, KIM, KYOUNG SEOB, KIM, KYOUNG HWAN, KIM, IN GI
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a cleaning method of a substrate, comprising: a step of supplying a substrate including a metal material film; a step of performing physical cleaning for the substrate; a step of performing chemical cleaning for the substrate; and a step of drying the surface of the substrate. By using the cleaning method of the present invention, particles of any size ranges can be effectively removed and a damage to features formed on the substrate can be minimized. 본 발명은 기판의 세정 방법에 관한 것으로서, 금속 물질막을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 대하여 물리적 세정을 수행하는 단계; 상기 기판에 대하여 화학적 세정을 수행하는 단계; 및 상기 기판의 표면을 건조시키는 단계를 포함하는 기판의 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 세정 방법을 이용하면 모든 크기 범위의 파티클들을 효과적으로 제거할 수 있으며, 기판 상에 형성된 피처들의 손상이 최소화될 수 있다.