CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING COMPOSITION COMPRISING ORGANIC/INORGANIC COMPOSITE PARTICLES

유기/무기 복합체 입자들 형태의 연마제 입자들을 포함하는 화학적 기계적 연마 (CMP) 조성물은 물론, CMP 조성물에서의 연마제 입자로서의 상기 복합체 입자의 사용, 및 상기 CMP 조성물의 존재하에서 기판의 화학적 기계적 연마를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 개시되어 있다. Described are a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising abrasive particles in the form of organic/inorganic composite pa...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHEN DANIEL KWO HUNG, GOLZARIAN REZA, LI YUZHUO, JIANG LIANG, LAN YONGQING, NOLLER BASTIAN MARTEN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH SEMICONDUCTOR DEVICES SKI WAXES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	유기/무기 복합체 입자들 형태의 연마제 입자들을 포함하는 화학적 기계적 연마 (CMP) 조성물은 물론, CMP 조성물에서의 연마제 입자로서의 상기 복합체 입자의 사용, 및 상기 CMP 조성물의 존재하에서 기판의 화학적 기계적 연마를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 개시되어 있다. Described are a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising abrasive particles in the form of organic/inorganic composite particles as well as the use of said composite particles as abrasive particles in a CMP composition and processes for the manufacture of a semiconductor device comprising chemical mechanical polishing of a substrate in the presence said CMP composition.