METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Provided is a method for forming a semiconductor device structure, comprising the following steps: forming a film on a substrate; forming a first mask layer on the film; forming a second mask layer, which exposes a first part of the first mask layer, on the first mask layer; performing plasma etching and film formation processes to remove the first portion of the first mask layer and form a protection layer on the first side wall of the second mask layer; and removing a second portion by using the first mask layer and the second mask layer as etching masks. The second mask layer exposes a first portion of the first mask layer. The first mask layer exposes the second portion of the film after the plasma etching and film formation processes. 반도체 디바이스 구조체를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 반도체 디바이스 구조체는 기판 위에 막을 형성하는 단계를 포함한다. 반도체 디바이스 구조체는 막 위에 제1 마스크 층을 형성하는 단계를 포함한다. 반도체 디바이스 구조체는 제1 마스크 층 위에 제2 마스크 층을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 마스크 층은 제1 마스크 층의 제1 부분을 노출시킨다. 반도체 디바이스 구조체는, 제1 마스크 층의 제1 부분을 제거하며 그리고 제2 마스크 층의 제1 측벽 위에 보호층을 형성하기 위하여 플라즈마 에칭 및 성막 프로세스를 수행하는 것을 포함한다. 제1 마스크 층은, 플라즈마 에칭 및 성막 프로세스 이후에 막의 제2 부분을 노출시킨다. 반도체 디바이스 구조체는 에칭 마스크로서 제1 마스크 층 및 제2 마스크 층을 이용하여 제2 부분을 제거하는 단계를 포함한다.