Method for fabricating semiconductor device
A method of manufacturing a semiconductor device is provided. The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric including a first region and a second region, forming an etch stop pattern for exposing the second region on the first region of the interlayer d...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | A method of manufacturing a semiconductor device is provided. The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric including a first region and a second region, forming an etch stop pattern for exposing the second region on the first region of the interlayer dielectric, and forming a mask pattern including a first via hole exposing the upper surface of the etch stop pattern and a second via hole penetrating the interlayer dielectric, on the interlayer dielectric and the etch stop pattern. So, a semiconductor process margin can be improved.
반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 층간 절연막을 형성하고, 제2 영역을 노출시키는 식각 정지 패턴을 층간 절연막의 제1 영역 상에 형성하고, 층간 절연막 및 식각 정지 패턴 상에, 식각 정지 패턴의 상면을 노출시키는 제1 비아홀과, 층간 절연막을 관통하는 제2 비아홀을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. |
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