LIGHT EMITTING DIODE USING RECOMBINATION OF DEEP LEVEL ELECTRON AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

The present invention provides a light emitting diode (LED) using recombination of a deep level electron and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, the LED comprises: an n-type contact layer; a p-type contact layer; a first active region interposed between the n-type and p-type contact layers to generate light of an ultraviolet range; a second active region interposed between the first active region and the p-type contact layer to generate light of a blue range; and at least one gallium nitride-based light absorption-emission layer disposed on the n-type contract layer by facing the first active region, and absorbing a part of the light emitted from the first active region to emit light of a yellow range. According to the present invention, an LED using the light absorption-emission layer to realize white light without a fluorescent body can be provided. 깊은 레벨 전자의 재결합을 이용하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, n형 콘택층; p형 콘택층; 상기 n형 콘택층과 상기 p형 콘택층 사이에 개재되어 자외선 영역의 광을 생성하는 제1 활성영역; 상기 제1 활성영역과 상기 p형 콘택층 사이에 개재되어 청색 영역의 광을 생성하는 제2 활성영역; 및 상기 제1 활성영역에 대향하여 상기 n형 콘택층 측에 위치하고, 상기 제1 활성영역에서 방출된 광의 일부를 흡수하여 황색 영역의 광을 방출하는 적어도 하나의 질화갈륨계 광 흡수-방출층을 포함한다. 광 흡수-방출층을 이용함으로써 형광체 없이 백색광을 구현할 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.