LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD

리소그래피 장치를 변형하는 방법은, 방사선 빔을 제공하는 조명 시스템, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 패터닝 디바이스를 지지하는 지지 구조체, 제 1 배율로 패터닝 디바이스에 방사선 빔을 투영하는 제 1 렌즈, 기판을 유지하는 기판 테이블, 및 제 2 배율로 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 제 1 투영 시스템을 포함한다. 제 1 렌즈 및 제 1 투영 시스템은 함께 제 3 배율을 제공한다. 본 방법은, 제 4 배율로 방사선 빔을 투영하는 제 2 렌즈를 제공하기 위해 제 1 배율을 제 1 팩터로 감소시키는 단계; 및 제 5 배율로 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 제 2 투영 시스템을 제공하기 위해 제 2 배율을 제 1 팩터로 증가시키는 단계를 포함한다. A method of modifying a lithographic apparatus comprising an illumination system for providing a radiation beam, a support structure for supporting a patterning device to impart the radiation beam with a pattern in its cross-section, a first lens for projecting the radiation beam at the patterning device with a first magnification, a substrate table for holding a substrate, and a first projection system for projecting the patterned radiation beam at a target portion of the substrate with a second magnification. The first lens and the first projection system together provide a third magnification. The method comprises reducing by a first factor the first magnification to provide a second lens for projecting the radiation beam with a fourth magnification; and increasing by the first factor the second magnification to provide a second projection system for projecting the patterned radiation beam at the target portion of the substrate with a fifth magnification.