METHOD FOR EVALUATING DEFECTIVE REGION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

본 발명은, 반도체 기판의 결함영역을 반도체 기판에 형성된 MOS 구조의 C-V 특성으로부터 평가하는 반도체 기판의 결함영역의 평가방법으로서, 미리, 결함영역의 타입을 알고 있는 반도체 기판을 이용하여, 평가대상 반도체 기판의 결함영역을 평가할 때와 같은 열처리 조건, 및, C-V 특성 평가 조건으로, 결함영역과 플랫밴드 전압 또는 고정전하밀도의 관계를 구해 두고, 평가대상 반도체 기판의 결함영역의 평가에서는, 반도체 기판에 형성된 MOS 구조의 C-V 특성으로부터 구해진 플랫밴드 전압 또는 고정전하밀도로부터, 미리 구해져 있는 결...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	ARATANI TAKASHI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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