METHOD FOR EVALUATING DEFECTIVE REGION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

본 발명은, 반도체 기판의 결함영역을 반도체 기판에 형성된 MOS 구조의 C-V 특성으로부터 평가하는 반도체 기판의 결함영역의 평가방법으로서, 미리, 결함영역의 타입을 알고 있는 반도체 기판을 이용하여, 평가대상 반도체 기판의 결함영역을 평가할 때와 같은 열처리 조건, 및, C-V 특성 평가 조건으로, 결함영역과 플랫밴드 전압 또는 고정전하밀도의 관계를 구해 두고, 평가대상 반도체 기판의 결함영역의 평가에서는, 반도체 기판에 형성된 MOS 구조의 C-V 특성으로부터 구해진 플랫밴드 전압 또는 고정전하밀도로부터, 미리 구해져 있는 결함영역과 플랫밴드 전압 또는 고정전하밀도의 관계에 근거하여, 평가대상 반도체 기판의 결함영역을 판정하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함영역의 평가방법이다. 이것에 의해, 저산소 농도라고 해도 간편한 방법으로 반도체 기판의 결함영역을 판정할 수 있는 반도체 기판의 결함영역의 평가방법이 제공된다. A method evaluates a defect region of a semiconductor substrate based on C-V characteristics of a MOS structure formed on the semiconductor substrate, including determining a relationship between defect region and flat band voltage or fixed charge density by using a semiconductor substrate having a known defect region, under a heat treatment condition and a C-V characteristic evaluating condition identical to conditions for evaluating a defect region of a semiconductor substrate to be evaluated, determining a flat band voltage or a fixed charge density of the semiconductor substrate to be evaluated from C-V characteristics of a MOS structure formed on the semiconductor substrate to be evaluated, and identifying the defect region of the semiconductor substrate to be evaluated based on the relationship between defect region and flat band voltage or fixed charge density previously determined, whereby the defect region of the semiconductor substrate is evaluated.