METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK AND PHOTOMASK SUBSTRATE

본 발명의 과제는, 치수 정밀도가 높은 전사용 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크의 제조 방법을 얻는 것이다. 투명 기판 상에, 광학막과, 반사성 박막과, 레지스트막이 적층된, 레지스트 부착 포토마스크 기판을 준비하는 공정과, 레지스트 패턴 형성 공정과, 반사성 박막 패턴을 형성하는, 박막 에칭 공정과, 상기 레지스트 패턴을 제거하는 공정과, 상기 반사성 박막 패턴의 치수를 측정하는, 치수 측정 공정과, 측정된 상기 치수에 기초하여 결정된, 상기 광학막의 에칭 시간에 기초하여, 상기 반사성 박막 패턴을 마스크로 하여, 상기 광학막의 습식 에칭을 행하는, 광학막 에칭 공정과, 상기 반사성 박막을 제거하는 공정을 갖고, 상기 치수 측정 공정에 있어서는, 상기 반사성 박막 패턴의 측정부에 검사광을 조사하고, 상기 검사광의 반사광을 검출함으로써, 상기 치수 측정을 행하는, 포토마스크의 제조 방법이다. The present invention is provided to obtain a method for manufacturing a photomask capable of forming a translation pattern with high dimensional accuracy. The method for manufacturing the photomask comprises: a process of preparing a resist-attached photomask substrate in which an optical film, a reflective thin film, and a resist film are layered on a transparent substrate; a process of forming a resist pattern; a thin film etching process of forming a pattern of the reflective thin film; a process of removing the resist pattern; a measuring process of measuring the size of the reflective thin film pattern; an optical film etching process of performing wet etching of the optical film, using the reflective thin film pattern as a mask, based on the etching time for the optical film which is determined according to the measured size; and a process of removing the reflective thin film. With respect to the measuring process, the size is measured by emitting an examination light onto a measurement unit of the reflective thin film and detecting reflected light of the examination light.