SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

이 제조 방법은, 액셉터로서 붕소를 함유하는 실리콘 단결정을 슬라이스하여, 미열처리 실리콘 웨이퍼를 얻는 공정과, 미열처리 실리콘 웨이퍼에 대해서, 붕소 농도를 구하는 공정을 포함하고, 미열처리 실리콘 웨이퍼에 대해서, 산소 도너 농도를 구하는 공정과, 붕소 농도를 구하는 공정에서 구해진 붕소 농도 및, 산소 도너 농도를 구하는 공정에서 구해진 산소 도너 농도에 기초하여, 미열처리 실리콘 웨이퍼에 대하여, 300℃ 이상의 온도에서의 열처리를 실시할지 여부를 판단한다. 이에 의해, 웨이퍼상에 편재하는 LPD가 저감된 웨이퍼가 얻어진다. A manufacturing method of this invention includes: a step of slicing a silicon single crystal containing boron as an acceptor and obtaining a non-heat-treated silicon wafer, a step of determining a boron concentration with respect to the non-heat-treated silicon wafer, and a step of determining an oxygen donor concentration with respect to the non-heat-treated silicon wafer, in which a determination as to whether or not to perform a heat treatment at a temperature of 300° C. or more on the non-heat-treated silicon wafer is made based on a boron concentration determined in the step of determining a boron concentration, and an oxygen donor concentration determined in the step of determining an oxygen donor concentration. By this means, a wafer in which unevenly distributed LPDs that are present on the wafer are reduced is obtained.