HOLE BLOCKING ELECTRON TRANSPORTING AND WINDOW LAYER FOR OPTIMIZED CuIn1-XGaXSe2 SOLAR CELLS

HOLE BLOCKING ELECTRON TRANSPORTING AND WINDOW LAYER FOR OPTIMIZED CuIn1-XGaXSe2 SOLAR CELLS

박막 광전 소자, 이의 사용 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다. 더욱 특히, 독립적으로 가변가능한 서브층을 갖는 다결정 CuInGaSe(CIGS)계 박막 광전 소자가 개시된다. 또한, n-도핑된 그래핀의 제조 방법이 제공된다. Thin-film photovoltaic devices and methods of their use and manufacture are disclosed. More particularly, polycrystalline CuIn(1-x)GaxSe2 (CIGS) based thin-film photovoltai...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ASHRAF AHSAN, EISAMAN MATTHEW, DISSANAYAKE NANDITHA, GOROFF NANCY, ANG XIUZHU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:박막 광전 소자, 이의 사용 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다. 더욱 특히, 독립적으로 가변가능한 서브층을 갖는 다결정 CuInGaSe(CIGS)계 박막 광전 소자가 개시된다. 또한, n-도핑된 그래핀의 제조 방법이 제공된다. Thin-film photovoltaic devices and methods of their use and manufacture are disclosed. More particularly, polycrystalline CuIn(1-x)GaxSe2 (CIGS) based thin-film photovoltaic devices having independently tunable sublayers are disclosed. Also provided are methods of producing an n-doped graphene.