FLOAT ZONE SILICON WAFER MANUFACTURING SYSTEM

실리콘 웨이퍼를 생산하기 위한 방법은 박리를 위해 부유 영역 실리콘 워크 피스를 실장하고 부유 영역 실리콘 워크 피스의 외부 표면층을 관통하기에 충분한 에너지화된 빔을 발생시키는 마이크로웨이브 장치를 에너자이징시키며 에너지화된 빔으로 부유 영역 실리콘 워크 피스의 외부 표면층을 박리시키고 100 마이크로미터 미만의 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼로서 부유 영역 실리콘 워크 피스로부터 박리된 외부 표면층을 제거하는 단계를 포함한다....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YAKUB ANDREW X, ROSENZWEIG JAMES BENJAMIN, GOORSKY MARK STANLEY
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	실리콘 웨이퍼를 생산하기 위한 방법은 박리를 위해 부유 영역 실리콘 워크 피스를 실장하고 부유 영역 실리콘 워크 피스의 외부 표면층을 관통하기에 충분한 에너지화된 빔을 발생시키는 마이크로웨이브 장치를 에너자이징시키며 에너지화된 빔으로 부유 영역 실리콘 워크 피스의 외부 표면층을 박리시키고 100 마이크로미터 미만의 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼로서 부유 영역 실리콘 워크 피스로부터 박리된 외부 표면층을 제거하는 단계를 포함한다.