SENSOR ELEMENT FOR DETECTING AT LEAST ONE PROPERTY OF A MEASURED GAS IN A MEASURED GAS CHAMBER AND METHOD FOR PRODUCING SAME

본 발명은 측정 가스 챔버 내 측정 가스의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위한, 특히 측정 가스 내 가스 성분들의 비율 또는 측정 가스의 온도를 검출하기 위한 센서 소자(10)에 관한 것이다. 센서 소자(10)는 적어도 하나의 고체 전해질 층(12, 14, 16)을 포함한다. 고체 전해질 층(12, 14, 16)은 적어도 하나의 비어 홀(42)을 포함한다. 센서 소자(10)는 비어 홀(42)을 통해 고체 전해질 층(12, 14, 16)의 상부면(18, 32)으로부터 고체 전해질 층(12, 14, 16)의 하부면으로의 도전 접속을 형...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SCHNEIDER JENS, ROTTMANN ANDREAS, ALT PETER, JUESTEL THOMAS, DOTTERWEICH OLIVER, BUSE FRANK, BISCHOFF ALEXANDER, TAEUBER ANTJE
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 측정 가스 챔버 내 측정 가스의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위한, 특히 측정 가스 내 가스 성분들의 비율 또는 측정 가스의 온도를 검출하기 위한 센서 소자(10)에 관한 것이다. 센서 소자(10)는 적어도 하나의 고체 전해질 층(12, 14, 16)을 포함한다. 고체 전해질 층(12, 14, 16)은 적어도 하나의 비어 홀(42)을 포함한다. 센서 소자(10)는 비어 홀(42)을 통해 고체 전해질 층(12, 14, 16)의 상부면(18, 32)으로부터 고체 전해질 층(12, 14, 16)의 하부면으로의 도전 접속을 형성하는 도전 소자(48)도 포함한다. 고체 전해질 층(12, 14, 16)은 비어 홀(42) 내에서 절연 소자(44)에 의해 도전 소자(48)로부터 전기 절연된다. 비어 홀(42)의 적어도 하나의 개방 영역(50)이 안정화 소자(52)에 의해 상 전이에 대해 안정화된다. 안정화 소자(52)는 귀금속 및 V, Nb, Ta, Sb, Bi, Cr, Mo, W로 이루어진 그룹으로부터 선택된 소자를 포함한 재료로 적어도 부분적으로 제조된다. 본 발명은 또한 측정 가스 챔버 내 측정 가스의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위한 센서 소자(10)의 제조 방법에 관한 것이다. A sensor element for detecting a level of a gas component in the measured gas or a temperature of the measured gas. The sensor element includes at least one solid electrolyte layer. The solid electrolyte layer has at least one plated-through hole. The sensor element further includes a conductive element, which produces an electrically conductive connection through the plated-through hole. In the plated-through hole, the solid electrolyte layer is electrically insulated from the conductive element by an insulating element. At least one opening region of the plated-through hole is stabilized against phase transition by a stabilizing element. The stabilizing element is made at least partially of a material, which includes a noble metal and an element selected from the group consisting of: V, Nb, Ta, Sb, Bi, Cr, Mo, W. A method for manufacturing the sensor element is also provided.