CERAMIC CARRIER AND SENSOR ELEMENT HEATING ELEMENT AND SENSOR MODULE EACH WITH A CERAMIC CARRIER AND METHOD FOR MANUFACTURING A CERAMIC CARRIER

본 발명은 백금 또는 백금 합금의 박막 구조(10)가 배치되는라믹 캐리어, 특히 AlO캐리어에 관한 것이고, 이 캐리어 및/또는 박막 구조(10)는 상이한 열팽창 계수에 기인되는 기계적 응력을 감소시키도록 적응되어 있다. 이 캐리어 및/또는 박막 구조(10)에서 e) 캐리어의 표면(11)은 박막 구조(10)의 영역에서 접착을 감소시키기 위해 적어도 부분적으로 평활화되고, 및/또는 f) 캐리어의 표면(11)은 박막 구조(10)가 적층되는 중간층(12)을 갖고, 여기서 중간층(12)의 열팽창 계수는 8*10/K 내지 16*10/K, 특...

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Hauptverfasser: DIETMANN STEFAN, LOOSE THOMAS, FLECKENSTEIN ALFRED, TEUSCH DIETER
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 백금 또는 백금 합금의 박막 구조(10)가 배치되는라믹 캐리어, 특히 AlO캐리어에 관한 것이고, 이 캐리어 및/또는 박막 구조(10)는 상이한 열팽창 계수에 기인되는 기계적 응력을 감소시키도록 적응되어 있다. 이 캐리어 및/또는 박막 구조(10)에서 e) 캐리어의 표면(11)은 박막 구조(10)의 영역에서 접착을 감소시키기 위해 적어도 부분적으로 평활화되고, 및/또는 f) 캐리어의 표면(11)은 박막 구조(10)가 적층되는 중간층(12)을 갖고, 여기서 중간층(12)의 열팽창 계수는 8*10/K 내지 16*10/K, 특히 8.5*10/K 내지 14*10/K이고, 및/또는 g) 박막 구조(10)는 적어도 부분적으로 파상인 하나 이상의 도체 경로(13)를 갖고, 상기 도체 경로는 캐리어의 표면(11)을 따라 횡방향으로 연장되고, 상기 파상의 도체 경로(13)의 진폭은 0.2*B 내지 2*B, 특히 0.4*B 내지 1*B이고, 상기 파상의 도체 경로(13)의 파장은 3*B 내지 10*B, 특히 4*B 내지 7*B이고, 여기서 "B"는 도체 경로(13)의 폭이고, 및/또는 h) 상기 박막 구조(10)에 제 1 코팅(14a)이 직접 도포되고, 상기 코팅은 특히 AlO및/또는 MgO의 산화물 나노입자를 수용한다. An Al2O3 carrier has a thin-film structure of platinum or a platinum alloy arranged thereon. The carrier and/or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure include a surface of the carrier in the region of the thin-film structure is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or a surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is from 8*10−6/K to 16*10−6/K, in particular from 8.5*10−6/K to 14*10−6/K, and/or the thin-film structure has at least one conductor path that is undular at least in sections, said conductor path extends laterally along the surface of the carrier.