DEVICE FOR DEPOSITING NANOTUBES

본 발명은 프로세스 챔버 하우징(19) 내에 배치되는 기판 지지부(1)에 의해 지지되는 기판(6) 상에, 탄소질(carbonaceous) 구조들, 예를 들어, 나노튜브들 또는 그래핀 형태의 층들을 증착시키기 위한 디바이스에 관한 것이고, 여기서, 프로세스 가스는 프로세싱 챔버 하우징(19) 내에 배치된 가스 유입 엘리먼트(24, 25)의 가스 배출 개구들(39)을 통해, 적어도 하나의 기판(6)으로의 방향으로 공급될 수 있다. 본 발명에 따른 기능적으로 유리한 수정으로서, 프로세스 챔버 하우징(19)은 홀딩 리세스들(holding recesses)(34, 35, 36, 37, 38)을 가지는 2개의 대향하는 벽들(48, 48')을 가진다. 적어도 하나의 플레이트-형상 컴포넌트(24, 25, 26, 30, 31)는 프로세스 챔버 하우징(19) 내에 배치되고, 이 플레이트-형상 컴포넌트는 각각이 2개의 벽들(48, 48') 중 하나의 벽의 홀딩 리세스(34 내지 38)에 개별적으로 삽입되는 서로 등지는 2개의 엣지 부분들을 가진다. A device is provided for depositing carbonaceous structures, for example layers in the form of nanotubes or graphene on a substrate, which is supported by a substrate support disposed in a process chamber housing. A process gas can be delivered onto the substrate through gas outlet openings of a gas inlet element disposed in the process chamber housing. The process chamber housing has two opposing walls which each have holding recesses. At least one plate-shaped component is disposed in the process chamber housing. The plate-shaped component has two edge portions directed away from one another that each are inserted respectively in the holding recess of one of the two opposing walls.