LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
The present invention relates to a liquid crystal display device which can reduce manufacturing costs by reducing the number of masks, and a method for manufacturing the same. The liquid crystal display device comprises: first and second substrates which are disposed to face each other; a liquid cry...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The present invention relates to a liquid crystal display device which can reduce manufacturing costs by reducing the number of masks, and a method for manufacturing the same. The liquid crystal display device comprises: first and second substrates which are disposed to face each other; a liquid crystal layer which is disposed between the first and second substrates; a gate transmission member which is disposed on the first substrate, and includes a gate line and a gate electrode; a data transmission member which is disposed on the first substrate, and includes a data line, a source electrode, and a drain electrode; a pixel electrode which is connected to the drain electrode, and is disposed in a pixel region; a first gate insulation film which is disposed on the gate transmission member in a shape substantially identical to that of the gate transmission member, and has a larger area than the gate transmission member; and a semiconductor layer which overlaps the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode, and is disposed on the first gate insulation film.
본 발명은 마스크의 수를 감소시켜 제조비용을 줄일 수 있는 액정 표시장치 및 이의 제조방법에 대한 것으로, 서로 대향하여 위치한 제 1 기판과 제 2 기판; 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층; 제 1 기판 상에 위치하며, 게이트 라인 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 전송부재; 제 1 기판 상에 위치하며, 데이터 라인, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 전송부재; 드레인 전극에 연결되며 화소 영역에 위치한 화소 전극; 게이트 전송부재와 실질적으로 동일한 형상으로 게이트 전송부재 상에 위치하며, 상기 게이트 전송부재보다 더 큰 면적을 갖는 제 1 게이트 절연막; 및 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 중첩하며 제 1 게이트 절연막 상에 위치한 반도체층을 포함한다. |
---|