PLASMA PROCESSING DEVICE AND FILM FORMATION METHOD

전자파 방전 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 유전체창 가스 유로 내의 이상 방전을 방지하면서, 유전체창 가스 유로 내의 가스의 전환을 단시간에 행하여, 상이한 종류의 플라즈마 처리 공정을 교대로 일정한 사이클로 반복하는 프로세스의 고속화를 실현한다. 이 플라즈마 처리 장치는 처리 가스 공급부(80)로부터 제공되는 처리 가스를 챔버(12) 내에 도입하기 위한 가스 도입 기구로서, 3계통의 가스 라인, 즉 유전체창(18)에 가스 유로(96) 및 가스 분출구(94)를 마련하는 천장 가스 라인(82)과, 상이한 높이 위치로 챔버(12...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	NEMOTO TAKENAO, KANEKO HIROSHI, SAITO TAKEHISA, YAMAGISHI KOJI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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