PLASMA PROCESSING DEVICE AND FILM FORMATION METHOD

전자파 방전 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 유전체창 가스 유로 내의 이상 방전을 방지하면서, 유전체창 가스 유로 내의 가스의 전환을 단시간에 행하여, 상이한 종류의 플라즈마 처리 공정을 교대로 일정한 사이클로 반복하는 프로세스의 고속화를 실현한다. 이 플라즈마 처리 장치는 처리 가스 공급부(80)로부터 제공되는 처리 가스를 챔버(12) 내에 도입하기 위한 가스 도입 기구로서, 3계통의 가스 라인, 즉 유전체창(18)에 가스 유로(96) 및 가스 분출구(94)를 마련하는 천장 가스 라인(82)과, 상이한 높이 위치로 챔버(12)의 측벽(12a)에 가스 유로(100, 108) 및 가스 분출구(102, 110)를 각각 마련하는 하부 측벽 가스 라인(84) 및 상부 측벽 가스 라인(86)을 구비하고 있다. 그리고, 천장 가스 라인(82)의 제1 가스 공급관(90)과 배기부(55, 56)를 잇는 바이패스 배기 라인(116)을 구비하고 있다. A plasma processing apparatus for alternately performing a first plasma processing step using first and second processing gases and a second plasma processing step using third and fourth processing gases. The apparatus includes: a processing container that has a dielectric window in a ceiling and removably accommodates a workpiece; an exhaust unit that evacuates the processing container; a processing gas supply unit that supplies the first, second, third, and fourth processing gases into the processing container; a first gas introduction unit including a top plate gas injection port, a dielectric window gas flow path, and a first external gas flow path; a second gas introduction unit including a sidewall gas injection port, a sidewall gas flow path, and a second external gas flow path; an electromagnetic wave supply unit that supplies electromagnetic waves into the plasma generating space; a bypass exhaust path; and an opening/closing valve.