PLASMA APPARATUS FOR VAPOR PHASE ETCHING AND CLEANING

The present invention relates to a plasma treatment apparatus for gaseous etching and cleaning. The plasma treatment apparatus for gaseous etching and cleaning includes: a reactor body for treating a substrate to be treated; a direct plasma generating area in the reactor body; a plasma inducing assembly inducing plasma into the direct plasma generating area; a substrate treating area in the reactor body; and a dual gas distribution baffle distributing plasma and a gasification gas. 본 발명은 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 처리 장치는 피처리 기판을 처리하기 위한 반응기 몸체; 상기 반응기 몸체 내로 공정 가스가 유입되어 플라즈마가 직접 유도되는 상기 반응기 몸체 내의 직접 플라즈마 발생 영역; 상기 직접 플라즈마 발생 영역으로 플라즈마를 유도하는 플라즈마 유도 어셈블리; 상기 직접 플라즈마 발생 영역으로부터 유입된 플라즈마와 상기 반응기 몸체의 외부에서 유입된 기화가스가 혼합되어 반응종을 형성하고, 반응종에 의해 상기 피처리 기판이 처리되는 상기 반응기 몸체 내의 기판 처리 영역; 및 상기 직접 플라즈마 발생 영역과 상기 기판 처리 영역 사이에 구비되어 상기 기판 처리 영역으로 플라즈마를 분배하고, 기화가스를 상기 기판 처리 영역의 중심영역과 주변영역으로 분배하는 듀얼 가스 분배 배플을 포함한다. 본 발명의 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치에 의하면 반응종을 형성하여 피처리 기판을 처리하는 것으로 대전에 의한 손상이 없이 피처리 기판을 처리할 수 있다. 또한 피처리 기판 세정시 부산물이 발생되하지 않으며 선택비가 높은 장점이 있다. 또한 기상세정을 위한 기화가스가 센터와 에지 영역으로 제공됨으로써 기화가스의 분사량을 조절하여 전체적으로 균일하게 반응종이 생성될 수 있을 뿐만 아니라, 이를 통해 피처리 기판의 표면을 균일하게 처리할 수 있다. 기화가스를 분사하는 가스 분배 배플에 구비된 열선을 이용하여 기화가스의 온도를 조절할 수 있다. 또한 대전에 의한 손상이 없어 미세 패턴 가공 공정에서도 피처리 기판의 처리가 가능하다. 또한 디퓨저 플레이트를 통해 공정가스가 챔버 내로 균일하게 확산되므로 플라즈마가 균일하게 발생한다. 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수 있어 소형 기판은 물론 대형 기판을 처리하는 경우에도 기판을 균일하게 처리할 수 있다. 또한 디퓨저 플레이트의 설치 간격을 조절하여 공정가스의 확산 정도를 조절할 수 있다. 또한 공정가스의 존속 시간이 증가되어 가스 분해율을 상승시켜 에치량(Etch amount)이 증가한다. 또한 하이브리드 척이 더 구비되어 기판을 처리하는 공정에 따라 기판을 지지하기 위해 정전방식 또는 진공방식 중 하나를 선택하여 구동할 수 있기 때문에 공정 분위기와 환경에 따라 기판 고정 방식을 선택할 수 있다. 또한 하나의 방식을 사용하지 못하는 경우 다른 방식을 선택하여 기판을 고정할 수 있으므로 고장 시 기판 처리 공정을 중단하거나 척을 교체할 필요가 없다. 또한 생산성이 증가하고 수리비용 및 생산비용이 절감되는 효과를 갖는다.