EUV MITIGATION OF EUV SHOT NOISE REPLICATING INTO ACID SHOT NOISE IN PHOTO-SENSITIZED CHEMICALLY-AMPLIFIED RESIST

광 민감형 화학적 증폭 레지스트(PS-CAR)의 극자외선(EUV) 리소그래피 및 패터닝에 있어서 산탄 잡음을 완화하기 위한 방법이 설명된다. 이 방법은 감광제를 생성하기 위한 제1 EUV 패턴 노출과, 제1 EUV 패턴 노출 동안 노출된 영역들 내에 산을 생성하기 위해, 제1 EUV 패턴 노출의 파장과 상이한 파장에서의 제2 전면 노출을 포함하고, 감광제는 산 생성을 증폭하고 콘트라스트를 향상시키도록 작용한다. 레지스트는 제1 EUV 패턴 노출 동안 축적될 수 있는 감광제 농도 상의 EUV 산탄 잡음의 영향을 완화하기 위해 열, 액체 용매, 용매 분위기, 또는 진공에 노출될 수 있다. A method for mitigating shot noise in extreme ultraviolet (EUV) lithography and patterning of photo-sensitized chemically-amplified resist (PS-CAR) is described. The method includes a first EUV patterned exposure to generate a photosensitizer and a second flood exposure at a wavelength different than the wavelength of the first EUV patterned exposure, to generate acid in regions exposed during the first EUV patterned exposure, wherein the photosensitizer acts to amplify acid generation and improve contrast. The resist may be exposed to heat, liquid solvent, solvent atmosphere, or a vacuum to mitigate the effects of EUV shot noise on photosensitizer concentration which may accrue during the first EUV patterned exposure.