ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Provided is an electronic device. According to an embodiment of the present invention, the electronic device includes a semiconductor memory. The semiconductor memory includes: a magnetic tunnel junction (MTJ) structure including a free layer having a changeable magnetization direction, a fixed layer having a fixed magnetization direction, and a tunnel barrier layer interposed between the free layer and the fixed layer; a magnetic correction layer located under the MTJ structure and reducing the effect of a stray field generated by the fixed layer; and a lower layer located under the magnetic correction layer and including a metal oxide film. 전자 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 변경 가능한 자화 방향을 갖는 자유층, 고정된 자화 방향을 갖는 고정층, 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 개재되는 터널 베리어층을 포함하는 MTJ(Mangetic Tunnel Juntion) 구조물; 상기 MTJ 구조물의 아래에 위치하고, 상기 고정층에 의해 생성되는 표류자계의 영향을 감소시키는 자기 보정층; 및 상기 자기 보정층 아래에 위치하고, 금속 산화물막을 포함하는 하부층을 포함할 수 있다.