Semiconductor device and method for manufacturing the same

The present invention relates to a semiconductor device including an electric-field effect transistor and a method of manufacturing the same. The semiconductor device comprises: a substrate including a first and a second activity pattern formed in their upper parts; a first gate electrode wherein the first and second activity patterns are extended to a first direction which is parallel to an upper surface of the substrate and traverses the first and second activity patterns, and are extended to a second direction which intersects with the first direction; the first and second source/drain regions which are provided in each of the upper parts of the first and second activity patterns of one side of the first gate electrode; and an activity contact arranged on the first source/drain region, and electrically connected to the first source/drain region wherein the first and second source/drain regions are spaced apart from the second direction. At this time, from a plane viewpoint, the activity contact includes a first sub-contact provided to overlap with the first source/drain region and a second sub-contact provided between the first and second source/drain regions. The second sub-contact includes a vertical extension which is vertically extended towards the substrate, wherein a bottom surface of the vertical extension may be much lower than a bottom surface of the first sub-contact. The present invention is designed to provide a semiconductor device comprising an activity contact capable of improving a reliability of a device. 본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 그의 상부에 형성된 제1 및 제2 활성 패턴들을 포함하는 기판, 상기 제1 및 제2 활성 패턴들은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되고; 상기 제1 및 제2 활성 패턴들을 가로지르며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극의 일 측의 상기 제1 및 제2 활성 패턴들의 상부들에 각각 제공되는 제1 및 제2 소스/드레인 영역들, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역들은 상기 제2 방향으로 서로 이격되고; 및 상기 제1 소스/드레인 영역 상에 배치되어, 상기 제1 소스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 활성 콘택을 포함할 수 있다. 이때, 상기 활성 콘택은, 평면적 관점에서, 상기 제1 소스/드레인 영역과 중첩되도록 제공되는 제1 서브 콘택 및 상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역들 사이에 제공되는 제2 서브 콘택을 포함하고, 상기 제2 서브 콘택은 상기 기판을 향해 수직적으로 연장되는 수직 연장부를 포함하고, 상기 수직 연장부의 바닥면은 상기 제1 서브 콘택의 바닥면보다 더 낮을 수 있다.