MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device. The present invention includes the steps of: preparing a first semiconductor layer; forming a mask layer with a preset width on the first semiconductor layer and dry-etching the first semiconductor layer; wet-etching a side surface of the dry-etched first semiconductor layer such that the width of the first semiconductor layer is smaller than that of the mask layer; removing the mask layer; forming an insulation layer with a preset height on a portion where the first semiconductor layer is removed by the dry-etching and the wet-etching; forming a trench by etching the first semiconductor layer; and filling the trench and forming a gate electrode having a contact area which is wider than the width of the trench. 반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 방법은, 제1 반도체층을 마련하는 단계, 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계, 제1 반도체층의 폭이 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계, 마스크층을 제거하는 단계, 건식 식각 및 습식 식각에 의해 제1 반도체층이 제거된 부분에 기 설정된 높이의 절연층을 형성하는 단계, 제1 반도체층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계 및 트렌치를 메꾸고, 트렌치의 폭보다 넓은 컨텍 영역을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.