SUPER-HIGH DENSITY POWER TRENCH MOSFET

하나의 예로서, 방법은 수직형 MOFET 의 바디 영역 내에서 다수개의 트렌치들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또, 상기 방법은 상기 바디 영역 내로 소스 영역을 경사 주입 단계를 포함할 수 있다. 또한, 유전체 물질은 상기 사수개의 트렌치들 내에서 성장할 수 있다. 게이트 폴리실리콘은 상기 다수개의 트렌치들 내에서 침적될 수 있다. 게다가, 상기 방법은 상기 게이트 폴리실리콘을 화학기계적 연마하는 과정을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 또한, 상기 다수개의 트렌치들 내에서 상기 게이트 폴리실리콘을 백 에칭(etching back)하는 과정을 포함할 수 있다. A method, in one embodiment, can include forming a plurality of trenches in a body region for a vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In addition, the method can include angle implanting source regions into the body region. Furthermore, dielectric material can be grown within the plurality of trenches. Gate polysilicon can be deposited within the plurality of trenches. Moreover, the method can include chemical mechanical polishing the gate polysilicon. The method can also include etching back the gate polysilicon within the plurality of trenches.