GAS SUPPLY CONTROL METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

The present invention relates to a substrate treatment apparatus, and more specifically, to a gas supply control method for a substrate treatment apparatus which deposits a thin film on a substrate by the supply of first gas and second gas. According to the present invention, the gas supply control method for a substrate treatment apparatus comprising a process chamber forming a sealed treatment space and a gas spray unit spraying first gas, second gas, and purge gas into the treatment space in the process chamber comprises: a first gas supply step of supplying the first gas to the gas spray unit from a first gas supply source at a first setting supply pressure which was set previously; a first purge step of spraying the purge gas to discharge the first gas from the treatment space; a second gas supply step of supplying the second gas to the gas spray unit from a second gas supply source at a second setting supply pressure which was set previously; and a second purge step of spraying the purge gas to discharge the second gas from the treatment space. The gas supply control method for a substrate treatment apparatus further comprises a second gas preparation step of supplying second carrier gas to the second gas supply source having a second precursor prior to the second gas supply step to allow a pressure of the second gas to reach the second setting supply pressure which was set previously. 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1가스 및 제2가스의 공급에 의하여 기판에 박막을 증착하는 기판처리장치의 가스공급 제어방법에 관한 것이다. 본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 제1가스, 제2가스 및 퍼지가스를 처리공간에 분사하는 가스분사부를 포함하는 기판처리장치의 가스공급제어방법으로서, 제1가스공급원으로부터 제1가스를 미리 설정된 제1설정공급압으로 가스분사부로 공급하는 제1가스공급단계와; 퍼지가스를 분사하여 처리공간에서 제1가스를 배기하는 제1퍼지단계와; 제2가스공급원으로부터 제2가스를 미리 설정된 제2설정공급압으로 상기 가스분사부로 공급하는 제2가스공급단계와; 퍼지가스를 분사하여 처리공간에서 제2가스를 배기하는 제2퍼지단계를 포함하며, 제2가스공급단계 전에 제2전구체가 담긴 제2가스공급원에 제2캐리어가스를 공급하여 제2가스의 압력이 미리 설정된 제2설정공급압에 도달된 상태에 이르도록 하는 제2가스준비단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스공급제어방법을 개시한다.