PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

The present invention provides a plasma etching method and a plasma etching apparatus capable of restricting critical dimension (CD) loading. According to one embodiment of the present invention, the method comprises a first and a second process, which are a plasma etching method to using a photoresist as a mask to etch a lower layer film by plasma. The first process is a process to etch the lower layer film with plasma in a first processing condition selecting a selection ratio of a photoresist with respect to the lower layer film as a first selection ratio by using the photoresist and residues after processing as a mask without performing a process to remove the residue remaining on the photoresist processed in a predetermined pattern by exposure and development. The second process changes the selection ratio of the photoresist with respect to the lower layer film into a second selection ratio lower than the first selection ratio from the first processing condition during etching the lower layer film, and etches again the lower layer film with plasma by using the photoresist as a mask. (과제) CD 로딩을 억제한다. (해결 수단) 플라즈마 에칭 방법은, 1개의 실시 형태에 있어서, 포토레지스트를 마스크로 하여 플라즈마에 의해 하층막을 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 제 1 공정과 제 2 공정을 포함한다. 제 1 공정은, 노광 및 현상에 의해 소정의 패턴으로 가공된 포토레지스트에 잔류한 찌꺼기를 제거하는 공정을 실시하지 않고, 가공 후의 포토레지스트 및 찌꺼기를 마스크로 하여 하층막에 대한 포토레지스트의 선택비가 제 1 선택비로 되는 제 1 처리 조건에서, 플라즈마에 의해 하층막을 에칭하는 공정이다. 제 2 공정은, 하층막의 에칭의 도중에, 제 1 처리 조건으로부터, 하층막에 대한 포토레지스트의 선택비가 제 1 선택비보다 낮은 제 2 선택비로 되는 제 2 처리 조건으로 전환하고, 포토레지스트를 마스크로 하여 플라즈마에 의해 하층막을 더 에칭하는 공정이다.