NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의...

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Hauptverfasser: MCINTOSH MONIQUE, FISHER PAUL E, DICKINSON COLIN JOHN, HERBERT ANDREW
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
PERFORMING OPERATIONS
PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
SEMICONDUCTOR DEVICES
SEPARATION
TRANSPORTING
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container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator MCINTOSH MONIQUE
FISHER PAUL E
DICKINSON COLIN JOHN
HERBERT ANDREW
description 본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의 작동 모드들을 선택할 수 있다.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20160106730A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20160106730A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20160106730A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDD18wwJ8nd39VPwj_B0cVVwdHIMcfV19QtR8PRTCHb19XT293MJdQ7xD1Jwc3QK8nR2DPH09-NhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHeQUYGhmYGhgZm5sYGjsbEqQIAlo8olA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION</title><source>esp@cenet</source><creator>MCINTOSH MONIQUE ; FISHER PAUL E ; DICKINSON COLIN JOHN ; HERBERT ANDREW</creator><creatorcontrib>MCINTOSH MONIQUE ; FISHER PAUL E ; DICKINSON COLIN JOHN ; HERBERT ANDREW</creatorcontrib><description>본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의 작동 모드들을 선택할 수 있다.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SEPARATION ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160912&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20160106730A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160912&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20160106730A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MCINTOSH MONIQUE</creatorcontrib><creatorcontrib>FISHER PAUL E</creatorcontrib><creatorcontrib>DICKINSON COLIN JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>HERBERT ANDREW</creatorcontrib><title>NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION</title><description>본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의 작동 모드들을 선택할 수 있다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SEPARATION</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDD18wwJ8nd39VPwj_B0cVVwdHIMcfV19QtR8PRTCHb19XT293MJdQ7xD1Jwc3QK8nR2DPH09-NhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHeQUYGhmYGhgZm5sYGjsbEqQIAlo8olA</recordid><startdate>20160912</startdate><enddate>20160912</enddate><creator>MCINTOSH MONIQUE</creator><creator>FISHER PAUL E</creator><creator>DICKINSON COLIN JOHN</creator><creator>HERBERT ANDREW</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160912</creationdate><title>NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION</title><author>MCINTOSH MONIQUE ; FISHER PAUL E ; DICKINSON COLIN JOHN ; HERBERT ANDREW</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20160106730A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2016</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SEPARATION</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MCINTOSH MONIQUE</creatorcontrib><creatorcontrib>FISHER PAUL E</creatorcontrib><creatorcontrib>DICKINSON COLIN JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>HERBERT ANDREW</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MCINTOSH MONIQUE</au><au>FISHER PAUL E</au><au>DICKINSON COLIN JOHN</au><au>HERBERT ANDREW</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION</title><date>2016-09-12</date><risdate>2016</risdate><abstract>본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의 작동 모드들을 선택할 수 있다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20160106730A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
PERFORMING OPERATIONS
PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
SEMICONDUCTOR DEVICES
SEPARATION
TRANSPORTING
title NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-23T06%3A46%3A57IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=MCINTOSH%20MONIQUE&rft.date=2016-09-12&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20160106730A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true