NITROGEN OXIDE ABATEMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MCINTOSH MONIQUE, FISHER PAUL E, DICKINSON COLIN JOHN, HERBERT ANDREW
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY PERFORMING OPERATIONS PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL SEMICONDUCTOR DEVICES SEPARATION TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본원에 포함된 구체예들은 반도체 제작 가공 동안과 같은, 가공 동안 형성된 질소 산화물들(NO)을 감소시키기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 가공 시스템은 저감 제어기 및 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있으며, 여기서, 저감 제어기는 가공 시스템으로부터의 유출물 가스들의 저감을 보장하면서, NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템을 제어한다. 유출물 저감 시스템은 연소-타입 유출물 저감 시스템 및/또는 플라즈마-타입 유출물 저감 시스템을 포함할 수 있다. 저감 제어기는 NO형성을 감소시키기 위해 유출물 저감 시스템들의 작동 모드들을 선택할 수 있다.